بررسی رفتار تابع دی الکتریک کربن نانوتیوب با استفاده از مدل تنگ بست قوی و خواص الکتریکی و ساختاری دسته نانوتیوبهای موازی

به این منظور، در فصل اول به شرح چگونگی ایجاد کربن نانوتیوبها و نیز مفاهیم اپتیکی آنها پرداخته شده است. در فصل دوم با استفاده از مدل تنگ بست قوی، خواص الکتریکی کربن نانوتیوبهای زیگزاگ و آرمچیر بررسی شده است. در ادامه خواص اپتیکی و تاثیرات حضور میدان مغناطیسی خارجی بر روی آنها بررسی شده است. در فصل سوم کربن نانوتیوبهای تک دیواره زیگزاگ و آرمچیر را به صورت استوانه سه بعدی در نظر گرفته ایم و پذیرفتاری خطی آنها را با استفاده از مدل تنگ بست بررسی کرده ایم. در ادامه، در این فصل تاثیرات میدان مغناطیسی خارجی بر خواص اپتیکی این نانوتیوبها محاسبه شده است. نتایج نشان می دهد که میدان مغناطیسی خارجی می تواند دو اثر پهن شدگی در میدانهای مغناطیسی ضعیف یا شکافتگی در میدانهای مغناطیسی قوی را بر روی پذیرفتاری خطی داشته باشد. همچنین نشان داده شده است که میدان مغناطیسی خارجی باعث ایجاد یک پیک در انرژی کمتر از 5/1 الکترون ولت در نانوتیوبهای آرمچیر می شود که افزایش میدان باعث حرکت پیک به سمت انرژیهای بالاتر و کاهش شدت آن می شود. در فصل چهارم خواص اپتیکی بورون نیترید نانوتیوبهای زیگزاگ تک دیواره در غیاب میدانهای خارجی و با استفاده از مدل تنگ بست قوی بررسی شده است. در این فصل رفتار منظمی را برای طبقه بندی خواص اپتیکی بورون نیترید نانوتیوبهای زیگزاگ تک دیواره پیدا کرده ایم. در نهایت با پیدا کردن عناصر ماتریس انتقال، خواص جذب آنها را در بازه انرژیهای کم بررسی کرده ایم که نتایج ما با نتایج تجربی توافق خوبی را نشان می دهد.